导读 东芝在今年的闪存峰会上有相当多的进展。除了公司新的XFMEXPRESS外形设备的喧嚣，赢得了Best of Show，该公司还展示了许多其他领先的存储
东芝在今年的闪存峰会上有相当多的进展。除了公司新的XFMEXPRESS外形设备的喧嚣，赢得了Best of Show，该公司还展示了许多其他领先的存储技术。
通过一些新的PCIe 4.0 NVMe SSD，推出XL-Flash存储级内存(SCM)，以及一些采用原生NVMe over fabric(NVMe-oF)的有趣的以太网SSD，东芝正在采用PCIe 4.0和新的存储技术。在展会上，甚至提到了未来的BiCS FLASH，包括五层单元(PLC)NAND开发。
东芝已经开始计划其第五代到第七代的BiCS Flash。每一代新一代都将与新一代PCIe标准相吻合，从BiCS 5开始，很快将与PCIe 4.0一起上市，但该公司尚未提供具体的时间表。BiCS5将具有1,200MT / s的更高带宽，而BiCS6将达到1,600MT / s，而BiCS7将达到2,000MT / s。
该公司还开始研究五层单元(PLC)NAND闪存，并通过修改其当前的QLC NAND实际验证每单元工作5位NAND。新闪存提供更高的密度，能够在每个单元存储5位，而不是仅在当前QLC中存储4位。但是，要做到这一点，电池需要能够存储32个不同的电压电平，而SSD控制器需要准确读取它们。由于有如此多的电压水平可以读取和写入纳米尺度，新技术非常具有挑战性。为了控制更严格的阈值，公司必须开发一些可能适应其当前TLC和QLC以提高性能的额外流程。
QLC已经相当慢，并且耐用性低于其他类型的闪存。PLC将具有更低的耐用性和更慢的性能。但是，新的NVMe协议功能(如分区命名空间(ZNS))应有助于缓解某些问题。ZNS本身旨在减少写入放大，减少对媒体过度配置和内部控制器DRAM使用的需求，当然，还可以提高吞吐量和延迟。